ترانسفورماتور هسته نانو کریستالی C Core برای ترانسفورماتورهای نوع خشک-

یک هسته C نانوکریستالی چیست؟

یک هسته C نانوکریستالی، هسته‌ای برش- است که از یک نوار آلیاژ مغناطیسی نرم نانوبلور ساخته می‌شود، که به داخل یک حلقوی پیچیده می‌شود و سپس به دو نیمه C-شکل بریده می‌شود. این آلیاژ که با انجماد سریع و تبلور کنترل شده تولید می شود، دارای ساختار دانه ای بسیار ریز در حدود 10-30 نانومتر است که نفوذپذیری بسیار بالا، اتلاف هسته کم و چگالی شار اشباع بالا می دهد. هسته های C با دو نیمه متصل به هم در اطراف سیم پیچ مونتاژ می شوند، که آنها را برای ترانسفورماتورهایی که نمی توان یک حلقوی بسته را زخمی کرد، کاربردی می کند.

مقایسه مواد

اموال	نانو کریستالی	بی شکل	فولاد سیلیکونی گرا-
چگالی شار اشباع (T)	حدود 1.2	حدود 1.56	حدود 2.03
نفوذپذیری اولیه (معمولی)	حدود 80000	حدود 10000-30000	حدود 1500-3000
از دست دادن هسته در فرکانس بالا	بسیار پایین	پایین	بالا
محدوده فرکانس عملی	تا 20 کیلوهرتز یا بیشتر	تا چند کیلوهرتز	50-400 هرتز
انقباض مغناطیسی	بسیار پایین	بالاتر	پایین

ارزش ها داده های مرجع منتشر شده معمولی برای مقایسه خانواده های مواد هستند. مقادیر تضمین شده برای یک هسته خاص از درجه و طرح سفارش شده پیروی می کند.

ویژگی های کلیدی

نفوذپذیری بالا و دقت بالا: جریان مغناطیسی کوچک و خطای نسبت کم در ترانسفورماتورهای ابزار.

تلفات هسته کم: راندمان حتی در فرکانس های سوئیچینگ ده ها کیلوهرتز بالا می ماند.

اندازه جمع و جور: یک هسته نانو کریستالی عملکردی مشابه هسته فریت یا فولاد سیلیکونی بسیار بزرگتر دارد.

نویز کم: ترکیبی از انقباض مغناطیسی کم و بستن مناسب، نویز قابل شنیدن را کم نگه می دارد.

چرا از یک هسته C در یک ترانسفورماتور نوع خشک-استفاده کنیم؟

ترانسفورماتورهای{0} نوع خشک برای الکترونیک قدرت نیاز به عملکرد فرکانس بالا و حجم کم دارند. هندسه هسته C به سازنده این امکان را می دهد که سیم پیچ را به عنوان یک بوبین از پیش ساخته شده وارد کند و سپس مدار مغناطیسی را با دو نیمه ببندد. از آنجایی که نیمه‌های هسته‌ای لپ‌تاپ و گیره‌دار هستند، مونتاژ ساده، قابل تکرار و مناسب برای تولید سری‌های کوچک و متوسط ​​است. سطوح برش خورده می‌شوند و تنش{6}}تسکین‌دهنده آنیل می‌شوند تا شکاف هوا کوچک بماند و نفوذپذیری مؤثر بالا باقی بماند.

برنامه های کاربردی

ترانسفورماتورهای-قدرت و فرکانس بالا-برای منابع تغذیه، مبدل‌ها و درایوها.

ترانسفورماتورهای صوتی که اعوجاج کم و خطی بودن بالا اهمیت دارد.

ترانسفورماتورهای جریان، که در آن نفوذپذیری بالا دقت بالایی را در یک بسته کوچک می دهد.

حالت‌های معمولی-فیلتر EMI.

سلف های تصحیح تقویت کننده و قدرت-ضریب- که در فرکانس سوئیچینگ بالا کار می کنند.

-یادداشت‌های اندازه و طراحی هسته

سطح مقطع{0}}از توان و چگالی شار مورد نیاز را انتخاب کنید. از اشباع در اوج جریان باید اجتناب شود.

ابعاد پنجره را در برابر ساختار سیم پیچ، از جمله عایق و حاشیه بررسی کنید.

فاکتور لمینیت و شکاف مونتاژ شده را مشخص کنید تا تحمل اندوکتانس قابل پیش بینی باشد.

هسته ها را با دقت کنترل کنید: نوار نانوکریستالی به تنش{0}} حساس است و فشار گیره باید یکنواخت و کنترل شود.

برای طراحی‌های با فرکانس بالا، سیم پیچ را نزدیک به هسته نگه دارید تا اندوکتانس نشتی به حداقل برسد.

سوالات متداول

چرا هسته C به دو نیم تقسیم شده است؟

برش اجازه می دهد تا سیم پیچ به راحتی وارد شود و تولید انبوه را عملی می کند. دو نیمه آسیاب شده و بازپخت می شوند تا مفصل باسن دارای شکاف هوایی کوچک و کنترل شده باشد.

فرکانس کاری معمولی چیست؟

هسته‌های نانوکریستالی تا فرکانس 20 کیلوهرتز یا بالاتر، بسیار فراتر از محدوده عملی فولاد سیلیکونی گرا-به طور موثر عمل می‌کنند، به همین دلیل است که از آنها در ترانسفورماتورهای الکترونیکی قدرت-استفاده می‌شود.

چگونه یک هسته نانو کریستالی با فریت مقایسه می شود؟

مواد نانو کریستالی چگالی شار اشباع بسیار بالاتری نسبت به فریت دارند، بنابراین هسته می‌تواند برای همان قدرت کوچک‌تر باشد و نفوذپذیری بالاتر است، که تعداد چرخش‌ها را کاهش می‌دهد.

آیا تلفات هسته کمتر از هسته آمورف است؟

بله، در فرکانس و القایی یکسان، مواد نانو کریستالی عموماً تلفات هسته کمتری را نسبت به مواد آمورف نشان می‌دهند، به خصوص بالای چند کیلوهرتز.

آیا می توان یک هسته C را با شکاف هوای مشخص عرضه کرد؟

بله، شکاف با سنگ زنی و توسط مجموعه گیره کنترل می شود. شکاف مؤثر معمولاً به صورت طول شکاف هوای معادل{0}} یا به عنوان اندوکتانس هدف بیان می‌شود.

آیا هسته بعد از مونتاژ نیاز به بازپخت دارد؟

نه، هسته قبل از برش توسط سازنده آنیل می شود. مونتاژ فقط به بستن یکنواخت نیاز دارد. بازپخت مجدد پوشش و تراز سطوح برش را از بین می برد.